SWIReR45 SWIR 視覺系統
微米級精度的先進半導體缺陷檢測
SWIReR45 結合先進的短波紅外線（SWIR）成像與深度學習 AOI，能檢測傳統視覺系統無法發現的關鍵缺陷。因此，它能精準檢測內部裂縫、側壁崩邊與表面異常——即使在超薄、低穿透率晶粒上，也能維持卓越的產能與影像品質。
在缺陷惡化前即時識別
降低生產風險並提升最終良率
在高價值的半導體封裝過程中，隱藏的結構性損傷常源自於晶圓切割或貼片（P&P）流程。側壁相機可能捕捉到縱向裂縫，但通常無法檢測橫向裂縫與角落崩邊，這將導致缺陷流入後段製程，造成高額返工甚至客戶端失效。
此外，超薄晶片（<100 µm）常缺乏可辨識標記，使得方向檢測尤為關鍵。透過 SWIReR45 的 SWIR 影像技術，製造商能及早檢出這些缺陷，避免良率損失並維持客戶品質標準。
為什麼選擇 SWIR 成像？
發揮 SWIR 技術的穿透能力
在大約 1,000–1,700 nm 的波段範圍內運行，SWIR 能穿透裸矽與部分背面塗層晶粒，相較於可見光與近紅外線（NIR），提供更高的清晰度。因此，缺陷邊界更清楚，提升自動光學檢測（AOI）的準確性。
更高對比、更高可靠性，且比 X 光更安全
與 X 光檢測不同，SWIR 不需輻射防護，大幅降低操作複雜度與成本。同時，它能即時提供高對比影像，使其成為自動化檢測（AVI）產線的最佳選擇。
競爭優勢
- 零漏檢，極低誤判率
- 專為穩定性與高產能打造的機構設計
- 專利開發的半導體專用 SWIR 相機
- 專用光學鏡組，最大化光效能
- 專利高速自動對焦系統（<50 ms）
- 深度學習 AOI，支援自適應缺陷檢測
- 廣泛應用於各式晶粒與封裝型態
- 高速檢測同時維持高精度
SWIReR45 四大「最」
- 最大視野範圍: 3.21 mm × 2.57 mm（競品：2.2 mm × 2 mm）
- 最快產能: UPH 高達 80K，晶粒越大效能差異越明顯
- 最高影像對比: 即使是內部裂縫也能清晰分離
- 最細檢測精度: 1.25 µm/像素，最小可檢測缺陷尺寸 6 µm × 6 µm
SWIReR45 技術特性
高效率與廣泛缺陷處理
- 圖樣比對 – 檢測佈局偏移與結構誤差
- 180° 旋轉檢測 – 即使無標記亦能正確辨識方向
- 表面裂縫 – 偵測表層可見微裂紋
- 內部裂縫 – 發現傳統相機無法檢測的次表面裂縫
- 側壁崩邊 – 檢測影響結構強度的邊緣缺陷
- 角落崩邊 – 捕捉微小但嚴重的角部裂縫
相機
5.24 百萬畫素
光源
短波紅外線（SWIR）
工作站
2 個
UPH（1×1 mm）
> 50K
自動對焦
專利高速 < 50 ms
檢測能力
> 6 µm
過檢率
< 1%
影像品質——精準檢測始於卓越影像
SWIReR45 制定嚴格的影像品質標準，以確保 AOI 與 AI 演算法在最高精度下運行：
- 解析度：像素大小為最小檢測缺陷的 1/5 至 1/10
- 對比度：背景與特徵的灰階差 ≥ 30（建議 ≥ 50）
- 清晰度：邊緣無模糊，確保正確對焦
- 潔淨度：缺陷區域外無異物或研磨痕跡
- 噪訊控制：相機增益與參數優化，避免誤檢
透過這些標準，SWIReR45 能提供穩定可靠的缺陷分類，同時減少誤判。
與 CosX 視覺生態系統整合
SWIReR45 為 CosX 半導體檢測解決方案的一部分，設計上支援在線整合，可搭配植球機、補球機與固晶機，打造完整的缺陷檢測生態系統。
這確保了長期良率，降低返工成本，並保障產品可靠性。
確保半導體檢測的可靠未來
透過 SWIReR45，CosX 協助製造商解決最具挑戰性的檢測需求。結合 SWIR 成像、先進光學、智慧演算法與穩定的機構設計，SWIReR45 為半導體缺陷檢測建立新標準。