SWIReR45 SWIR 视觉系统
微米级精度的先进半导体缺陷检测
SWIReR45 结合先进的短波红外（SWIR）成像与深度学习 AOI，能检测传统视觉系统无法发现的关键缺陷。因此，它能够精准识别内部裂缝、侧壁崩边与表面异常——即使在超薄、低穿透率的晶粒上，也能保持卓越的产能与图像质量。
在缺陷恶化前实时识别
降低生产风险并提升最终良率
在高价值的半导体封装过程中，隐藏的结构性损伤常常源自晶圆切割或贴片（P&P）工序。侧壁相机可能捕捉到纵向裂缝，但通常无法检测横向裂缝与角落崩边，这将导致缺陷进入后段工序，引发高额返工甚至客户失效。
此外，超薄晶片（<100 µm）通常缺乏可识别标记，使方向检测尤为重要。通过 SWIReR45 的 SWIR 成像技术，制造商能够及早发现这些缺陷，避免良率损失并保持客户质量标准。
为什么选择 SWIR 成像？
发挥 SWIR 技术的穿透能力
在约 1,000–1,700 nm 的波段范围内运行，SWIR 能穿透裸硅与部分背面涂层晶粒，相较于可见光与近红外（NIR），提供更高的清晰度。因此，缺陷边界更清晰，提升自动光学检测（AOI）的准确性。
更高对比、更高可靠性，并且比 X 光更安全
与 X 光检测不同，SWIR 无需辐射防护，大幅降低操作复杂度与成本。同时，它能即时提供高对比图像，使其成为自动化检测（AVI）产线的最佳选择。
竞争优势
- 零漏检，极低误判率
- 专为稳定性与高产能打造的机构设计
- 专利开发的半导体专用 SWIR 相机
- 专用光学镜组，最大化光学效率
- 专利高速自动对焦系统（<50 ms）
- 深度学习 AOI，支持自适应缺陷检测
- 广泛适用于各种晶粒与封装类型
- 高速检测同时保持高精度
SWIReR45 四大“最”
- 最大视野范围: 3.21 mm × 2.57 mm（竞品：2.2 mm × 2 mm）
- 最快产能: UPH 高达 80K，晶粒越大差异越明显
- 最高图像对比度: 即使是内部裂缝也能清晰分离
- 最细检测精度: 1.25 µm/像素，最小可检测缺陷尺寸 6 µm × 6 µm
SWIReR45 技术特性
高效率与广泛缺陷处理
- 图样比对 – 检测布局偏移与结构误差
- 180° 旋转检测 – 即使无标记也能正确识别方向
- 表面裂缝 – 检测表层可见微裂纹
- 内部裂缝 – 发现传统相机无法检测的次表面裂缝
- 侧壁崩边 – 检测影响结构强度的边缘缺陷
- 角落崩边 – 捕捉微小但严重的角部裂缝
相机
5.24 百万像素
光源
短波红外（SWIR）
工作站
2 个
UPH（1×1 mm）
> 50K
自动对焦
专利高速 < 50 ms
检测能力
> 6 µm
过检率
< 1%
图像质量——精准检测始于卓越图像
SWIReR45 制定严格的图像质量标准，以确保 AOI 与 AI 算法在最高精度下运行：
- 分辨率：像素大小为最小检测缺陷的 1/5 至 1/10
- 对比度：背景与特征的灰阶差 ≥ 30（建议 ≥ 50）
- 清晰度：边缘无模糊，确保正确对焦
- 洁净度：缺陷区域外无异物或研磨痕迹
- 噪声控制：相机增益与参数优化，避免误检
与 CosX 视觉生态系统集成
SWIReR45 是 CosX 半导体检测解决方案的一部分，支持在线集成，可搭配植球机、补球机与固晶机，构建完整的缺陷检测生态系统。
这确保了长期良率，降低返工成本，并保障产品可靠性。
确保半导体检测的可靠未来
通过 SWIReR45，CosX 帮助制造商解决最具挑战性的检测需求。结合 SWIR 成像、先进光学、智能算法与稳定的机构设计，SWIReR45 为半导体缺陷检测建立新标准。